多层陶瓷电容器  [用于一般电子设备高频/低损耗多层陶瓷电容器]

产品规格

供应体制 量产(推荐)
静电容量 0.6 pF ± 0.05pF
外型尺寸 (EIA/JIS) 01005/0402
额定电压 25 V
Q值 (min) 300 at 1GHz
温度特性 (EIA) C0G
使用温度范围 (EIA) -55 to +125 ℃
温度特性 (JIS) CG
使用温度范围 (JIS) -55 to +125 ℃
温度系数范围 0 ±30 ppm/℃
高温负载 (%额定电压) 200 %
绝缘电阻值 (min) 10 GΩ
尺寸 (L) 0.4 ±0.02 mm
尺寸 (W) 0.2 ±0.02 mm
尺寸 (T) 0.2 ±0.02 mm
尺寸 (e) 0.10 ±0.03 mm
RoHS Compliance (10 subst.) Yes
REACH Compliance (240 subst.) Yes
IEC62474 (Ver. D28.00) Compliance Yes
Halogen Free Yes
适用焊接 方法 Reflow
包装 Taping Embossed 40000pcs

外观

高性能建议

小型
窄公差 薄型
大容量

特征

与其他多层电容器相比，其高频段的Q值较高。

主要用途

适用于要求高Q值和小型化的高频应用，如便携式通讯产品和其他无线设备。
  VCO、TCXO等。

可用于高频电路特性的调整。

产品資料

参考规格(EIA)
规格表
特性数据
尺寸图（外形, 推荐焊盘图案 等）
有关我公司产品的注意
型号标示法
 

模拟数据

S参数（单品）
S参数（系列）[zip]
SPICE型号（单品）[cir形式]
SPICE型号（系列）[lib形式]
SPICE型号（系列）[zip]
3D 模型 (STEP)
焊盘图案(DXF)

链接

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特徵值圖
使用Sn-Zn系焊接材料将影响多层陶瓷片式电容的可靠性。
因此，若要使用Sn-Zn系焊接材料，请事前与本公司联系。
记载内容的详细情况以及在您欲订购我司产品时，请向我司销售人员咨询相关情况。
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