UVK105CG3R6JW-F

多层陶瓷电容器

[用于一般电子设备高频/低损耗多层陶瓷电容器]


外观

产品规格

供应体制 计划停产
静电容量 3.6 pF ± 5 %
外型尺寸 (EIA/JIS) 0402/1005
额定电压 50 V
Q值 (min) 110 at 1GHz
温度特性 (EIA) C0G
使用温度范围 (EIA) -55 to +125 ℃
温度特性 (JIS) CG
使用温度范围 (JIS) -55 to +125 ℃
温度系数范围 0 ±30 ppm/℃
高温负载 (%额定电压) 200 %
绝缘电阻值 (min) 10 GΩ
尺寸 (L) 1.0 ±0.05 mm
尺寸 (W) 0.5 ±0.05 mm
尺寸 (T) 0.5 ±0.05 mm
尺寸 (e) 0.25 ±0.10 mm
RoHS Compliance (10 subst.) Yes
REACH Compliance (242 subst.) Yes
IEC62474 (Ver. D29.00) Compliance Yes
Halogen Free Yes
适用焊接 方法 Reflow
包装 Taping Paper 10000pcs
使用Sn-Zn系焊接材料将影响多层陶瓷片式电容的可靠性。
因此,若要使用Sn-Zn系焊接材料,请事前与本公司联系。
记载内容的详细情况以及在您欲订购我司产品时,请向我司销售人员咨询相关情况。

特征

与其他多层电容器相比,其高频段的Q值较高。

主要用途

适用于要求高Q值和小型化的高频应用,如便携式通讯产品和其他无线设备。
  VCO、TCXO等。

可用于高频电路特性的调整。

产品資料

链接

Q&A

关于产品的环保证明书

特徵值圖

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