セラミックRFデバイス  [セラミックRFデバイス(バンドパスタイプ)]

製品仕様

供給体制 量産(推奨)
システム LTE-M/NB-IOT
通過帯域周波数1 (f1) 1805 to 2200 MHz
挿入損失1 (max)(f1内) 1.7 dB at 1805 to 2200MHz (+25 ℃)
挿入損失2 (max)(f1内) 1.8 dB at 1805 to 2200MHz (-40 to +85 ℃)
VSWR1 (max)(f1内) 2 at 1805 to 2200MHz
減衰量1 (min)(f1) 16 dB at 600 to 735MHz
減衰量2 (min)(f1) 22 dB at 3610 to 6600MHz
入力インピーダンス / 出力インピーダンス 50 Ω / 50 Ω
L寸法 1.6 ±0.10 mm
W寸法 0.8 ±0.10 mm
T寸法 Max 0.65 mm
使用温度範囲 -40 to +85 ℃
RoHS指令対応 (10 物質) Yes
REACH対応 (240 物質) Yes
IEC62474 (Ver. D28.00) 対応 Yes
ハロゲンフリー Yes
適用はんだ付け法 Reflow
標準梱包 Taping Paper 5000pcs

外観

特徴

小型・低背

低ロス・高減衰

安定した温度特性

製品資料

 

シミュレーションデータ

リンク

 

製品環境証明書

特性値グラフ

記載内容についてのお問い合わせ、及び記載アイテムのご注文の際には弊社営業まで御連絡ください。
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