セラミックRFデバイス  [セラミックRFデバイス(バンドパスタイプ)for 5G]

製品仕様

供給体制 量産(推奨)
システム 5G
通過帯域周波数1 (f1) 4400 to 5000 MHz
挿入損失1 (max)(f1内) 1.5 dB at 4400 to 5000MHz (+25 ℃)
挿入損失2 (max)(f1内) 1.6 dB at 4400 to 5000MHz (-40 to +85 ℃)
VSWR1 (max)(f1内) 2 at 4400 to 5000MHz
減衰量1 (min)(f1) 35 dB 500 to 3300MHz
減衰量2 (min)(f1) 20 dB 6450 to 7700MHz
入力インピーダンス / 出力インピーダンス 50 Ω / 50 Ω
L寸法 1.6 ±0.10 mm
W寸法 0.8 ±0.10 mm
T寸法 Max 0.65 mm
使用温度範囲 -40 to +85 ℃
RoHS指令対応 (10 物質) Yes
REACH対応 (247 物質) Yes
ハロゲンフリー Yes
適用はんだ付け法 Reflow
標準梱包 Taping Papered 5000

外観

特徴

5G NR対応

高耐電力

安定した温度特性

詳細は営業担当にご確認下さい

製品資料

 

シミュレーションデータ

リンク

 

製品環境証明書

特性値グラフ

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情報
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