セラミックRFデバイス  [セラミックRFデバイス(バンドパスタイプ)for 5G]

製品仕様

供給体制 量産(推奨)
システム 5G
通過帯域周波数1 (f1) 3300 to 5000 MHz
挿入損失1 (max)(f1内) 1.2 dB at 3300 to 5000MHz ( ℃)
挿入損失2 (max)(f1内) 1.3 dB at 3300 to 5000MHz (-40 to +85 ℃)
減衰量1 (min)(f1) 27 dB at 700 to 2690MHz
減衰量2 (min)(f1) 17 dB at 6000 to 8000MHz
入力インピーダンス / 出力インピーダンス 50 Ω / 50 Ω
L寸法 2.0 ±0.15 mm
W寸法 1.25 ±0.15 mm
T寸法 Max 0.65 mm
使用温度範囲 -40 to +85 ℃
RoHS指令対応 (10 物質) Yes
REACH対応 (247 物質) Yes
ハロゲンフリー Yes
適用はんだ付け法 Reflow
標準梱包 Taping Embossed 5000pcs

外観

特徴

5G NR対応

高耐電力

安定した温度特性

詳細は営業担当にご確認下さい

製品資料

 

シミュレーションデータ

リンク

 

製品環境証明書

特性値グラフ

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詳細情報は営業担当者にご確認ください。
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情報
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