セラミックRFデバイス  [セラミックRFデバイス(2ブランチカプラ)]

製品仕様

供給体制 量産(推奨)
システム W-CDMA/CDMA/GSM/LTE
/ISM900
通過帯域周波数1 (f1) 699 to 2690 MHz
挿入損失1 (max)(f1内) 0.2 dB at 699 to 2025MHz (+25 ℃)
挿入損失2 (max)(f1内) 0.25 dB at 699 to 2025MHz (-40 to +85 ℃)
挿入損失3 (max)(f1内) 0.28 dB at 2170 to 2690MHz (+25 ℃)
挿入損失4 (max)(f1内) 0.38 dB at 2170 to 2690MHz (-40 to +85 ℃)
VSWR1 (max)(f1内) 1.2 at 699 to 2690MHz
RFカップリング1 (min)(max)(f1内) 17.1dB (min) 29.5dB (max) at 699 to 2620MHz
方向性 (min)(f1内) 18dB at 699 to 2620MHz
入力インピーダンス 50 Ω
出力インピーダンス 50 Ω
L寸法 1.6 ±0.10 mm
W寸法 0.8 ±0.10 mm
T寸法 Max 0.5 mm
使用温度範囲 -40 to +85 ℃
RoHS指令対応 (10 物質) Yes
REACH対応 (240 物質) Yes
IEC62474 (Ver. D28.00) 対応 Yes
ハロゲンフリー Yes
適用はんだ付け法 Reflow
標準梱包 Taping Paper 8000pcs

外観

特徴

小型・低背

低ロス・高減衰

安定した温度特性

製品資料

 

シミュレーションデータ

リンク

 

製品環境証明書

詳細情報は営業担当者にご確認ください。
記載内容についてのお問い合わせ、及び記載アイテムのご注文の際には弊社営業まで御連絡ください。
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