セラミックRFデバイス  [セラミックRFデバイス(ダイプレクサ)for 5G]

製品仕様

供給体制 量産(推奨)
システム LTE/5G
周波数1定義 Low band
通過帯域周波数1 (f1) 1710 to 1920 MHz
挿入損失2 (max)(f1内) 0.7 dB at 1710 to 1920MHz (-40 to +85 ℃)
VSWR1 (max)(f1内) 2 at 1710 to 1920MHz
減衰量1 (min)(f1) 15 dB at 2496 to 2690MHz
周波数2定義 High band
通過帯域周波数2 (f2) 2496 to 2690 MHz
挿入損失2 (max)(f2内) 0.8 dB at 2496 to 2690MHz (-40 to +85 ℃)
VSWR1 (max)(f2内) 2 at 2496 to 2690MHz
減衰量1 (min)(f2) 15 dB at 1710 to 1920MHz
入力インピーダンス / 出力インピーダンス 50 Ω / 50 Ω
L寸法 1.6 ±0.10 mm
W寸法 0.8 ±0.10 mm
T寸法 Max 0.8 mm
使用温度範囲 -40 to +85 ℃
RoHS指令対応 (10 物質) Yes
REACH対応 (251 物質) Yes
ハロゲンフリー Yes
適用はんだ付け法 Reflow
標準梱包 Taping Paper 5000pcs
在庫
旧品番 :
販売店 在庫 購入
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外観

特徴

5G NR対応

EN-DC対応

安定した温度特性

詳細は営業担当にご確認下さい

製品資料

 

シミュレーションデータ

リンク

 

製品環境証明書

記載内容についてのお問い合わせ、及び記載アイテムのご注文の際には弊社営業まで御連絡ください。

特性値グラフ

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