セラミックRFデバイス  [一般用セラミックRFデバイス(ダイプレクサ)for 5G]

製品仕様

供給体制 量産(推奨)
システム 5G/UWB
周波数1定義 Low band
通過帯域周波数1 (f1) 1400 to 5000 MHz
挿入損失1 (max)(f1内) 1.2 dB at 1400 to 5000MHz (+25 ℃)
挿入損失2 (max)(f1内) 1.3 dB at 1400 to 5000MHz (-40 to +85 ℃)
VSWR1 (max)(f1内) 2 at 1400 to 5000MHz
減衰量1 (min)(f1) 20 dB 6240 to 8250MHz
周波数2定義 High band
通過帯域周波数2 (f2) 6240 to 8250 MHz
挿入損失1 (max)(f2内) 1.1 dB at 6240 to 8250MHz (+25 ℃)
挿入損失2 (max)(f2内) 1.2 dB at 6240 to 8250MHz (-40 to +85 ℃)
VSWR1 (max)(f2内) 2 at 6240 to 8250 MHz
減衰量1 (min)(f2) 30 dB at 1400 to 2690MHz
減衰量2 (min)(f2) 20 dB at 3300 to 5000MHz
入力インピーダンス / 出力インピーダンス 50 Ω / 50 Ω
L寸法 2.0 ±0.15 mm
W寸法 1.25 ±0.15 mm
T寸法 Max 0.7 mm
使用温度範囲 -40 to +85 ℃
RoHS指令対応 (10 物質) Yes
REACH対応 (253 物質) Yes
ハロゲンフリー Yes
適用はんだ付け法 Reflow
標準梱包 Taping Embossed 5000pcs
在庫
旧品番 :
販売店 在庫 購入
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外観

特徴

5G NR対応

EN-DC対応

安定した温度特性

詳細は営業担当にご確認下さい

製品資料

 

シミュレーションデータ

リンク

 

製品環境証明書

記載内容についてのお問い合わせ、及び記載アイテムのご注文の際には弊社営業まで御連絡ください。

特性値グラフ

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