セラミックRFデバイス  [セラミックRFデバイス(ローパスタイプ)]

製品仕様

供給体制 量産(推奨)
システム LTE
通過帯域周波数1 (f1) 1710 to 2025 MHz
挿入損失1 (max)(f1内) 0.4 dB at 1710 to 2025MHz (+25 ℃)
挿入損失2 (max)(f1内) 0.5 dB at 1710 to 2025MHz (-40 to +85 ℃)
VSWR1 (max)(f1内) 2 at 1710 to 2025MHz
減衰量1 (min)(f1) 27 dB at 3420 to 4050MHz
減衰量2 (min)(f1) 30 dB at 5130 to 6075MHz
入力インピーダンス / 出力インピーダンス 50 Ω / 50 Ω
L寸法 1.6 ±0.10 mm
W寸法 0.8 ±0.10 mm
T寸法 Max 0.65 mm
使用温度範囲 -40 to +85 ℃
RoHS指令対応 (10 物質) Yes
REACH対応 (247 物質) Yes
ハロゲンフリー Yes
適用はんだ付け法 Reflow
標準梱包 Taping Paper 5000pcs

外観

特徴

小型・低背

低ロス・高減衰

安定した温度特性

製品資料

 

シミュレーションデータ

リンク

 

製品環境証明書

特性値グラフ

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JavaScript chart by amCharts 3.21.3TSL1N18D1G86LC0EDTReturn Loss02468101214Frequency[GHz]-40-35-30-25-20-15-10-50Return Loss[dB]
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情報
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