HK21252N2S-T

インダクタ

[高周波積層チップインダクタ(HKシリーズ)]


外観

製品仕様

供給体制 生産中止予定
インダクタンス 2.2 nH ± 0.3nH
ケースサイズ (EIA/JIS) 0805/2012
定格電流 (max) 0.3 A
直流抵抗 (max) 100 mΩ
直流抵抗 (typ) 30 mΩ
Q (min) 10
Q (typ) 18
自己共振周波数 (min) 4000 MHz
自己共振周波数 (typ) 6000 MHz
使用温度範囲 -40 to +85 ℃
L寸法 2.0 +0.3/-0.1 mm
W寸法 1.25 ±0.2 mm
T寸法 0.85 ±0.2 mm
e寸法 0.5 ±0.3 mm
測定周波数 100 MHz
RoHS指令対応 (10 物質) Yes
REACH対応 (240 物質) Yes
IEC62474 (Ver. D28.00) 対応 Yes
ハロゲンフリー Yes
適用はんだ付け法 Reflow/Wave
標準梱包 Taping Embossed 4000pcs
上記以外のインダクタンス許容差は、別途お問い合わせください。
記載内容についてのお問い合わせ、及び記載アイテムのご注文の際には弊社営業まで御連絡ください。

特徴

内部導体として比抵抗値の低いAgを使用し、良好なQ特性と自己共振周波数特性を実現

積層シート工法による、高生産性、高品質、高インダクタンス値対応

モノリシック構造のため、高い信頼性を有する

主な用途

携帯電話、PHS、無線LAN

その他の高周波回路、中間周波増幅回路

高周波帯域でのEMI対策

製品資料

リンク

製品環境証明書

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