TSB1N18D2G00LV0H7T

(旧品番 FI168B2002H7-T)

セラミックRFデバイス

[セラミックRFデバイス(バンドパスタイプ)]


外観

製品仕様

供給体制 量産(推奨)
システム LTE-M/NB-IOT
通過帯域周波数1 (f1) 1805 to 2200 MHz
挿入損失1 (max)(f1内) 1.7 dB at 1805 to 2200MHz (+25 ℃)
挿入損失2 (max)(f1内) 1.8 dB at 1805 to 2200MHz (-40 to +85 ℃)
VSWR1 (max)(f1内) 2 at 1805 to 2200MHz
減衰量1 (min)(f1) 16 dB at 600 to 735MHz
減衰量2 (min)(f1) 22 dB at 3610 to 6600MHz
入力インピーダンス / 出力インピーダンス 50 Ω / 50 Ω
L寸法 1.6 ±0.10 mm
W寸法 0.8 ±0.10 mm
T寸法 Max 0.65 mm
使用温度範囲 -40 to +85 ℃
RoHS指令対応 (10 物質) Yes
REACH対応 (240 物質) Yes
IEC62474 (Ver. D28.00) 対応 Yes
ハロゲンフリー Yes
適用はんだ付け法 Reflow
標準梱包 Taping Paper 5000pcs
記載内容についてのお問い合わせ、及び記載アイテムのご注文の際には弊社営業まで御連絡ください。

特徴

小型・低背

低ロス・高減衰

安定した温度特性

製品資料

リンク

製品環境証明書

特性値グラフ

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