TSB1N18D845MLV0D9T

(旧品番 FI168B0845D9-T)

セラミックRFデバイス

[セラミックRFデバイス(バンドパスタイプ)]


外観

製品仕様

供給体制 量産(推奨)
システム LTE-M/NB-IOT
通過帯域周波数1 (f1) 729 to 960 MHz
挿入損失1 (max)(f1内) 1.9 dB at 729 to 960MHz (+25 ℃)
挿入損失2 (max)(f1内) 2 dB at 729 to 960MHz (-40 to +85 ℃)
VSWR1 (max)(f1内) 2 at 729 to 960MHz
減衰量1 (min)(f1) 18 dB at 240 to 320MHz
減衰量2 (min)(f1) 17 dB at 360 to 480MHz
減衰量3 (min)(f1) 3 dB at 1094 to 1440MHz
減衰量4 (min)(f1) 15 dB at 1458 to 2185MHz
減衰量5 (min)(f1) 35 dB at 2185 to 2880MHz
減衰量6 (min)(f1) 15 dB at 2900 to 3645MHz
減衰量7 (min)(f1) 30 dB at 3645 to 4800MHz
減衰量8 (min)(f1) 25 dB at 4800 to 6720MHz
入力インピーダンス / 出力インピーダンス 50 Ω / 50 Ω
L寸法 1.6 ±0.10 mm
W寸法 0.8 ±0.10 mm
T寸法 Max 0.65 mm
使用温度範囲 -40 to +85 ℃
RoHS指令対応 (10 物質) Yes
REACH対応 (240 物質) Yes
IEC62474 (Ver. D28.00) 対応 Yes
ハロゲンフリー Yes
適用はんだ付け法 Reflow
標準梱包 Taping Paper 5000pcs
記載内容についてのお問い合わせ、及び記載アイテムのご注文の際には弊社営業まで御連絡ください。

特徴

小型・低背

低ロス・高減衰

安定した温度特性

製品資料

リンク

製品環境証明書

特性値グラフ

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