(旧品番 FI168B0845D9-T)
セラミックRFデバイス
[セラミックRFデバイス(バンドパスタイプ)]
供給体制 | 量産(推奨) |
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システム | LTE-M/NB-IOT |
通過帯域周波数1 (f1) | 729 to 960 MHz |
挿入損失1 (max)(f1内) | 1.9 dB at 729 to 960MHz (+25 ℃) |
挿入損失2 (max)(f1内) | 2 dB at 729 to 960MHz (-40 to +85 ℃) |
VSWR1 (max)(f1内) | 2 at 729 to 960MHz |
減衰量1 (min)(f1) | 18 dB at 240 to 320MHz |
減衰量2 (min)(f1) | 17 dB at 360 to 480MHz |
減衰量3 (min)(f1) | 3 dB at 1094 to 1440MHz |
減衰量4 (min)(f1) | 15 dB at 1458 to 2185MHz |
減衰量5 (min)(f1) | 35 dB at 2185 to 2880MHz |
減衰量6 (min)(f1) | 15 dB at 2900 to 3645MHz |
減衰量7 (min)(f1) | 30 dB at 3645 to 4800MHz |
減衰量8 (min)(f1) | 25 dB at 4800 to 6720MHz |
入力インピーダンス / 出力インピーダンス | 50 Ω / 50 Ω |
L寸法 | 1.6 ±0.10 mm |
W寸法 | 0.8 ±0.10 mm |
T寸法 | Max 0.65 mm |
使用温度範囲 | -40 to +85 ℃ |
RoHS指令対応 (10 物質) | Yes |
REACH対応 (240 物質) | Yes |
IEC62474 (Ver. D28.00) 対応 | Yes |
ハロゲンフリー | Yes |
適用はんだ付け法 | Reflow |
標準梱包 | Taping Paper 5000pcs |