TSB1N21D4G70LV0DQT

(旧品番 FI212B4700DQ-T)

セラミックRFデバイス

[セラミックRFデバイス(バンドパスタイプ)for 5G]


外観

製品仕様

供給体制 量産(推奨)
システム 5G
通過帯域周波数1 (f1) 4400 to 5000 MHz
挿入損失2 (max)(f1内) 2.5 dB at 4400 to 5000MHz (-40 to +85 ℃)
VSWR1 (max)(f1内) 2 at 4400 to 5000MHz
減衰量1 (min)(f1) 35 dB at 100 to 3600MHz
減衰量2 (min)(f1) 15 dB to 5490 to 5925MHz
入力インピーダンス / 出力インピーダンス 50 Ω / 50 Ω
L寸法 2.0 ±0.15 mm
W寸法 1.25 ±0.15 mm
T寸法 Max 0.65 mm
使用温度範囲 -40 to +85 ℃
RoHS指令対応 (10 物質) Yes
REACH対応 (251 物質) Yes
ハロゲンフリー Yes
適用はんだ付け法 Reflow
標準梱包 Taping Embossed 5000pcs
詳細情報は営業担当者にご確認ください。
記載内容についてのお問い合わせ、及び記載アイテムのご注文の際には弊社営業まで御連絡ください。

特徴

5G NR対応

高耐電力

安定した温度特性

詳細は営業担当にご確認下さい

製品資料

リンク

製品環境証明書

特性値グラフ

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