TSC4N18F1G69NS0B1T

(旧品番 FI168W1697B1-T)

セラミックRFデバイス

[セラミックRFデバイス(2ブランチカプラ)]


外観

製品仕様

供給体制 量産(推奨)
システム W-CDMA/CDMA/GSM/LTE
/ISM900
通過帯域周波数1 (f1) 699 to 2690 MHz
挿入損失1 (max)(f1内) 0.2 dB at 699 to 2025MHz (+25 ℃)
挿入損失2 (max)(f1内) 0.25 dB at 699 to 2025MHz (-40 to +85 ℃)
挿入損失3 (max)(f1内) 0.28 dB at 2110 to 2690MHz (+25 ℃)
挿入損失4 (max)(f1内) 0.36 dB at 2110 to 2690MHz (-40 to +85 ℃)
VSWR1 (max)(f1内) 1.2 at 699 to 2690MHz
RFカップリング1 (min)(max)(f1内) 17.1dB (min) 29.5dB (max) at 699 to 2690MHz
方向性 (min)(f1内) 18dB (min) 24dB (max) at 699 to 2690MHz
入力インピーダンス / 出力インピーダンス 50 Ω / 50 Ω
L寸法 1.6 ±0.10 mm
W寸法 0.8 ±0.10 mm
T寸法 Max 0.5 mm
使用温度範囲 -40 to +85 ℃
RoHS指令対応 (10 物質) Yes
REACH対応 (240 物質) Yes
IEC62474 (Ver. D28.00) 対応 Yes
ハロゲンフリー Yes
適用はんだ付け法 Reflow
標準梱包 Taping Paper 8000pcs
詳細情報は営業担当者にご確認ください。
記載内容についてのお問い合わせ、及び記載アイテムのご注文の際には弊社営業まで御連絡ください。

特徴

小型・低背

低ロス・高減衰

安定した温度特性

製品資料

リンク

製品環境証明書

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