(旧品番 FI212P1955EN-T)
セラミックRFデバイス
[セラミックRFデバイス（ダイプレクサ）for 5G]
| 供給体制 | 量産(推奨) |
|---|---|
| システム | LTE/5G |
| 周波数1定義 | Low band |
| 通過帯域周波数1 (f1) | 617 to 2200 MHz |
| 挿入損失1 (max)(f1内) | 1.75 dB at 617 to 2200MHz ( ℃) |
| 挿入損失2 (max)(f1内) | 1.9 dB at 617 to 2200MHz (-40 to +85 ℃) |
| VSWR1 (max)(f1内) | 2 at 617 to 2200MHz |
| 減衰量1 (min)(f1) | 16 dB at 2496 to 2690MHz |
| 減衰量2 (min)(f1) | 17 dB at 3300 to 5000MHz |
| 周波数2定義 | High band |
| 通過帯域周波数2 (f2) | 2496 to 5000 MHz |
| 挿入損失1 (max)(f2内) | 1.55 dB at 2496 to 5000MHz ( ℃) |
| 挿入損失2 (max)(f2内) | 1.7 dB at 2496 to 5000MHz (-40 to +85 ℃) |
| VSWR1 (max)(f2内) | 2 at 2496 to 5000 |
| 減衰量1 (min)(f2) | 14 dB at 1427 to 1710MHz |
| 減衰量2 (min)(f2) | 17 dB at 1710 to 2200MHz |
| 入力インピーダンス / 出力インピーダンス | 50 Ω / 50 Ω |
| L寸法 | 2.0 ±0.15 mm |
| W寸法 | 1.25 ±0.15 mm |
| T寸法 | Max 1.0 mm |
| 使用温度範囲 | -40 to +85 ℃ |
| RoHS指令対応 (10 物質) | Yes |
| REACH対応 (251 物質) | Yes |
| ハロゲンフリー | Yes |
| 適用はんだ付け法 | Reflow |
| 標準梱包 | Taping Embossed 3000pcs |