TSD1N21A1G95LV0ENT

(旧品番 FI212P1955EN-T)

セラミックRFデバイス

[セラミックRFデバイス(ダイプレクサ)for 5G]


外観

製品仕様

供給体制 量産(推奨)
システム LTE/5G
周波数1定義 Low band
通過帯域周波数1 (f1) 617 to 2200 MHz
挿入損失1 (max)(f1内) 1.75 dB at 617 to 2200MHz ( ℃)
挿入損失2 (max)(f1内) 1.9 dB at 617 to 2200MHz (-40 to +85 ℃)
VSWR1 (max)(f1内) 2 at 617 to 2200MHz
減衰量1 (min)(f1) 16 dB at 2496 to 2690MHz
減衰量2 (min)(f1) 17 dB at 3300 to 5000MHz
周波数2定義 High band
通過帯域周波数2 (f2) 2496 to 5000 MHz
挿入損失1 (max)(f2内) 1.55 dB at 2496 to 5000MHz ( ℃)
挿入損失2 (max)(f2内) 1.7 dB at 2496 to 5000MHz (-40 to +85 ℃)
VSWR1 (max)(f2内) 2 at 2496 to 5000
減衰量1 (min)(f2) 14 dB at 1427 to 1710MHz
減衰量2 (min)(f2) 17 dB at 1710 to 2200MHz
入力インピーダンス / 出力インピーダンス 50 Ω / 50 Ω
L寸法 2.0 ±0.15 mm
W寸法 1.25 ±0.15 mm
T寸法 Max 1.0 mm
使用温度範囲 -40 to +85 ℃
RoHS指令対応 (10 物質) Yes
REACH対応 (240 物質) Yes
IEC62474 (Ver. D28.00) 対応 Yes
ハロゲンフリー Yes
適用はんだ付け法 Reflow
標準梱包 Taping Embossed 3000pcs
詳細情報は営業担当者にご確認ください。
記載内容についてのお問い合わせ、及び記載アイテムのご注文の際には弊社営業まで御連絡ください。

特徴

5G NR対応

EN-DC対応

安定した温度特性

詳細は営業担当にご確認下さい

製品資料

リンク

製品環境証明書

特性値グラフ

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