(旧品番 FI212P1955EN-T)
セラミックRFデバイス
[セラミックRFデバイス(ダイプレクサ)for 5G]
供給体制 | 量産(推奨) |
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システム | LTE/5G |
周波数1定義 | Low band |
通過帯域周波数1 (f1) | 617 to 2200 MHz |
挿入損失1 (max)(f1内) | 1.75 dB at 617 to 2200MHz ( ℃) |
挿入損失2 (max)(f1内) | 1.9 dB at 617 to 2200MHz (-40 to +85 ℃) |
VSWR1 (max)(f1内) | 2 at 617 to 2200MHz |
減衰量1 (min)(f1) | 16 dB at 2496 to 2690MHz |
減衰量2 (min)(f1) | 17 dB at 3300 to 5000MHz |
周波数2定義 | High band |
通過帯域周波数2 (f2) | 2496 to 5000 MHz |
挿入損失1 (max)(f2内) | 1.55 dB at 2496 to 5000MHz ( ℃) |
挿入損失2 (max)(f2内) | 1.7 dB at 2496 to 5000MHz (-40 to +85 ℃) |
VSWR1 (max)(f2内) | 2 at 2496 to 5000 |
減衰量1 (min)(f2) | 14 dB at 1427 to 1710MHz |
減衰量2 (min)(f2) | 17 dB at 1710 to 2200MHz |
入力インピーダンス / 出力インピーダンス | 50 Ω / 50 Ω |
L寸法 | 2.0 ±0.15 mm |
W寸法 | 1.25 ±0.15 mm |
T寸法 | Max 1.0 mm |
使用温度範囲 | -40 to +85 ℃ |
RoHS指令対応 (10 物質) | Yes |
REACH対応 (240 物質) | Yes |
IEC62474 (Ver. D28.00) 対応 | Yes |
ハロゲンフリー | Yes |
適用はんだ付け法 | Reflow |
標準梱包 | Taping Embossed 3000pcs |