TSL1N15H829MLS0GZT

(旧品番 FI105L0829GZ-T)

セラミックRFデバイス

[セラミックRFデバイス(ローパスタイプ)]


外観

製品仕様

供給体制 量産(推奨)
システム LTE
通過帯域周波数1 (f1) 617 to 960 MHz
挿入損失1 (max)(f1内) 0.9 dB at 617 to 960MHz (+25 ℃)
挿入損失2 (max)(f1内) 0.95 dB at 617 to 960MHz (-40 to +85 ℃)
VSWR1 (max)(f1内) 2 at 617 to 960MHz
減衰量1 (min)(f1) 13 dB at 1554 to 1610MHz
減衰量2 (min)(f1) 30 dB at 1710 to 2700MHz
入力インピーダンス 50 Ω
出力インピーダンス 50 Ω
L寸法 1.0 ±0.10 mm
W寸法 0.5 ±0.10 mm
T寸法 Max 0.4 mm
使用温度範囲 -40 to +85 ℃
RoHS指令対応 (10 物質) Yes
REACH対応 (240 物質) Yes
IEC62474 (Ver. D28.00) 対応 Yes
ハロゲンフリー Yes
適用はんだ付け法 Reflow
標準梱包 Taping Paper 10000pcs
記載内容についてのお問い合わせ、及び記載アイテムのご注文の際には弊社営業まで御連絡ください。

特徴

小型・低背

低ロス・高減衰

安定した温度特性

製品資料

リンク

製品環境証明書

特性値グラフ

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