TSL1N18D829MLV0FDT

(旧品番 FI168L0829FD-T)

セラミックRFデバイス

[セラミックRFデバイス(ローパスタイプ)]


外観

製品仕様

供給体制 量産(推奨)
システム LTE
通過帯域周波数1 (f1) 698 to 960 MHz
挿入損失1 (max)(f1内) 0.4 dB at 698 to 960MHz (+25 ℃)
挿入損失2 (max)(f1内) 0.45 dB at 698 to 960MHz (-40 to +85 ℃)
VSWR1 (max)(f1内) 2 at 698 to 960MHz
減衰量1 (min)(f1) 15 dB at 1554 to 1610MHz
減衰量2 (min)(f1) 21 dB at 1760 to 1830MHz
通過帯域周波数2 (f2) 617 to 698 MHz
挿入損失1 (max)(f2内) 0.55 dB at 617 to 698MHz (+25 ℃)
挿入損失2 (max)(f2内) 0.6 dB at 617 to 698MHz (-40 to +85 ℃)
入力インピーダンス / 出力インピーダンス 50 Ω / 50 Ω
L寸法 1.6 ±0.10 mm
W寸法 0.8 ±0.10 mm
T寸法 Max 0.65 mm
使用温度範囲 -40 to +85 ℃
RoHS指令対応 (10 物質) Yes
REACH対応 (240 物質) Yes
IEC62474 (Ver. D28.00) 対応 Yes
ハロゲンフリー Yes
適用はんだ付け法 Reflow
標準梱包 Taping Paper 5000pcs
記載内容についてのお問い合わせ、及び記載アイテムのご注文の際には弊社営業まで御連絡ください。

特徴

小型・低背

低ロス・高減衰

安定した温度特性

製品資料

リンク

製品環境証明書

特性値グラフ

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