(旧品番 FI252M0829H2-T)
セラミックRFデバイス
[セラミックRFデバイス（トリプレクサ）for 5G]
| 供給体制 | 量産(推奨) |
|---|---|
| システム | LTE/5G |
| 周波数1定義 | Low band |
| 通過帯域周波数1 (f1) | 450 to 960 MHz |
| 挿入損失2 (max)(f1内) | 1 dB at 450 to 960MHz (-40 to +85 ℃) |
| VSWR1 (max)(f1内) | 2 at 450 to 960MHz |
| 減衰量1 (min)(f1) | 18 dB at 1427 to 2690MHz |
| 減衰量2 (min)(f1) | 20 dB at 3300 to 5950MHz |
| 周波数2定義 | Mid band |
| 通過帯域周波数2 (f2) | 1427 to 2690 MHz |
| 挿入損失2 (max)(f2内) | 1.2 dB at 1427 to 2690MHz (-40 to +85 ℃) |
| VSWR1 (max)(f2内) | 2 at 1427 to 2690 |
| 減衰量1 (min)(f2) | 18 dB at 450 to 960MHz |
| 減衰量2 (min)(f2) | 18dB at 3300 to 5950MHz |
| 周波数3定義 | High band |
| 通過帯域周波数3 (f3) | 3300 to 5950 MHz |
| 挿入損失2 (max)(f3内) | 1.5 dB at 3300 to 5950MHz (-40 to +85 ℃) |
| VSWR1 (max)(f3内) | 2 at 3300 to 5950 |
| 減衰量1 (min)(f3) | 20 dB at 450 to 960MHz |
| 減衰量2 (min)(f3) | 20 dB at 1427 to 2690MHz |
| 入力インピーダンス / 出力インピーダンス | 50 Ω / 50 Ω |
| L寸法 | 2.5 ±0.10 mm |
| W寸法 | 2.0 ±0.10 mm |
| T寸法 | Max 0.65 mm |
| 使用温度範囲 | -40 to +85 ℃ |
| RoHS指令対応 (10 物質) | Yes |
| REACH対応 (240 物質) | Yes |
| IEC62474 (Ver. D28.00) 対応 | Yes |
| ハロゲンフリー | Yes |
| 適用はんだ付け法 | Reflow |
| 標準梱包 | Taping Embossed 3000pcs |