(이전품번 FI212P1955EN-T)
적층 세라믹 디바이스
[적층 세라믹 디바이스(다이플렉서)for 5G]
공급 체제 | 양산(권장) |
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System | LTE/5G |
주파수1 정의 | Low band |
통과대역 주파수1 (f1) | 617 to 2200 MHz |
삽입손실1 (max)(in f1) | 1.75 dB at 617 to 2200MHz ( ℃) |
삽입손실2 (max)(in f1) | 1.9 dB at 617 to 2200MHz (-40 to +85 ℃) |
VSWR1 (max)(in f1) | 2 at 617 to 2200MHz |
감쇄량1 (min)(f1) | 16 dB at 2496 to 2690MHz |
감쇄량2 (min)(f1) | 17 dB at 3300 to 5000MHz |
주파수2 정의 | High band |
통과대역 주파수2 (f2) | 2496 to 5000 MHz |
삽입손실1 (max)(in f2) | 1.55 dB at 2496 to 5000MHz ( ℃) |
삽입손실2 (max)(in f2) | 1.7 dB at 2496 to 5000MHz (-40 to +85 ℃) |
VSWR1 (max)(in f2) | 2 at 2496 to 5000 |
감쇄량1 (min)(f2) | 14 dB at 1427 to 1710MHz |
감쇄량2 (min)(f2) | 17 dB at 1710 to 2200MHz |
입력 임피던스 / 출력 임피던스 | 50 Ω / 50 Ω |
L사이즈 | 2.0 ±0.15 mm |
W사이즈 | 1.25 ±0.15 mm |
T사이즈 | Max 1.0 mm |
사용온도범위 | -40 to +85 ℃ |
RoHS Compliance (10 subst.) | Yes |
REACH Compliance (240 subst.) | Yes |
IEC62474 (Ver. D28.00) Compliance | Yes |
Halogen Free | Yes |
적용 납땜법 | Reflow |
포장 | Taping Embossed 3000pcs |