TSD1N21A1G95LV0ENT

(이전품번 FI212P1955EN-T)

적층 세라믹 디바이스

[적층 세라믹 디바이스(다이플렉서)for 5G]


외관

제품 사양

공급 체제 양산(권장)
System LTE/5G
주파수1 정의 Low band
통과대역 주파수1 (f1) 617 to 2200 MHz
삽입손실1 (max)(in f1) 1.75 dB at 617 to 2200MHz ( ℃)
삽입손실2 (max)(in f1) 1.9 dB at 617 to 2200MHz (-40 to +85 ℃)
VSWR1 (max)(in f1) 2 at 617 to 2200MHz
감쇄량1 (min)(f1) 16 dB at 2496 to 2690MHz
감쇄량2 (min)(f1) 17 dB at 3300 to 5000MHz
주파수2 정의 High band
통과대역 주파수2 (f2) 2496 to 5000 MHz
삽입손실1 (max)(in f2) 1.55 dB at 2496 to 5000MHz ( ℃)
삽입손실2 (max)(in f2) 1.7 dB at 2496 to 5000MHz (-40 to +85 ℃)
VSWR1 (max)(in f2) 2 at 2496 to 5000
감쇄량1 (min)(f2) 14 dB at 1427 to 1710MHz
감쇄량2 (min)(f2) 17 dB at 1710 to 2200MHz
입력 임피던스 / 출력 임피던스 50 Ω / 50 Ω
L사이즈 2.0 ±0.15 mm
W사이즈 1.25 ±0.15 mm
T사이즈 Max 1.0 mm
사용온도범위 -40 to +85 ℃
RoHS Compliance (10 subst.) Yes
REACH Compliance (240 subst.) Yes
IEC62474 (Ver. D28.00) Compliance Yes
Halogen Free Yes
적용 납땜법 Reflow
포장 Taping Embossed 3000pcs
Please confirm the detailed information with sales person.
기재내용에 대한 상세내용 및 주문하실 때에는 당사 영업으로 문의해 주시기 바랍니다.

특징

for 5G NR

for EN-DC

Stable temperature characteristics

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제품 자료

링크

제품환경증명서

특성 값 그래프

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